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BUK652R0-30C,127

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BUK652R0-30C,127

Pour Référence Seulement

Référence BUK652R0-30C,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Fiche technique
paquet TO-220-3
ECAD
En stock 3 856 piece(s)
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Spécifications BUK652R0-30C,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs229nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds14964pF @ 25V
Vgs (Max)±16V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)306W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.2 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

BUK652R0-30C,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BUK652R0-30C,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK652R0-30C,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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BUK652R0-30C,127 Produits Connexes

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Rochester Electronics LLC

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NXP Semiconductors

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NXP Semiconductors

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NXP Semiconductors

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