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BTS132E3045ANTMA1

BTS132E3045ANTMA1

BTS132E3045ANTMA1

Pour Référence Seulement

Référence BTS132E3045ANTMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description N-CHANNEL POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BTS132E3045ANTMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesTEMPFET®
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C24A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)75W
Rds sur (max) @ id, vgs65mOhm @ 12A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TO220-3-5
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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BTS132E3045ANTMA1 FAQ

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MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

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