Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (77 reviews)

BSZ16DN25NS3GATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	BSZ16DN25NS3GATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	18 294 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	sept. 27 - oct. 2 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications BSZ16DN25NS3GATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	250 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10.9A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 100 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	62.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	165mOhm @ 5.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN

BSZ16DN25NS3GATMA1 Packaging

BSZ16DN25NS3GATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSZ16DN25NS3GATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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