Name: BSZ110N06NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ110N06NS3GATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (84 reviews)

BSZ110N06NS3GATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	BSZ110N06NS3GATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	34 755 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	sept. 30 - oct. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications BSZ110N06NS3GATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 23µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	11mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8
Paquet / cas	8-PowerVDFN

BSZ110N06NS3GATMA1 Packaging

BSZ110N06NS3GATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSZ110N06NS3GATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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