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BSZ105N04NSGATMA1

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BSZ105N04NSGATMA1

Pour Référence Seulement

Référence BSZ105N04NSGATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSZ105N04NSGATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C11A (Ta), 40A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 14µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 20 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.1W (Ta), 35W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs10.5mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TSDSON-8
Paquet / cas8-PowerTDFN

BSZ105N04NSGATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSZ105N04NSGATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSZ105N04NSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSZ105N04NSGATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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TAJA226K010RNJ

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MURS160T3G

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MB86H60BJ-002PB-G2000E1

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MAX3491ESD+T

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FI-SEB20P-HF13E

CONN RCPT 1.25MM 20POS SMD R/A

LT1763CS8-3.3#PBF

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8SOIC

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