Name: BSZ097N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N04LSGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

BSZ097N04LSGATMA1

Pour Référence Seulement

Référence	BSZ097N04LSGATMA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	24 936 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications BSZ097N04LSGATMA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	OptiMOS™
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta), 40A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 14µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 20 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	9.7mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN

BSZ097N04LSGATMA1 Packaging

BSZ097N04LSGATMA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSZ097N04LSGATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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