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BSS119NH7796

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Référence BSS119NH7796
Fabricant Infineon Technologies
Description SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSS119NH7796

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C190mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 13µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds20.9 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)500mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs6Ohm @ 190mA, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-SOT23-3-5
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Packing
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BSS119NH7796 FAQ

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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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produits présentés

FMMT593TA

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

MAX6370KA+T

IC TIMER WATCHDOG SOT23-8

USB3340-EZK-TR

IC USB 2.0 TXRX 32QFN

SMBJ33CA-13-F

TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB

WSL0805R0500FEA

RES SMD 0.05 OHM 1% 1/8W 0805

LH1511BAB

SMD-6 SSR GULLWING 1 FORM B

MPQ8633BGLE-Z

IC REG BUCK ADJUSTABLE 20A 21QFN

CY7C1071DV33-12BAXI

IC SRAM 32MBIT 12NS 48FBGA

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN

2-1103110-3

INSERT MALE 40POS+1GND CRIMP

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