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BSP295E6327T

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Pour Référence Seulement

Référence BSP295E6327T
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Fiche technique

BSP295E6327T Fiche technique

paquet TO-261-4, TO-261AA
ECAD
En stock 4 752 piece(s)
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Spécifications BSP295E6327T

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SériesSIPMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.8A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 400µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds368pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs300 mOhm @ 1.8A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-SOT223-4
Paquet / casTO-261-4, TO-261AA

BSP295E6327T fiche technique

BSP295E6327T Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BSP295E6327T FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSP295E6327T is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSP295E6327T price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSP295E6327T?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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0
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