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BSP149L6327HTSA1

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BSP149L6327HTSA1

Pour Référence Seulement

Référence BSP149L6327HTSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Fiche technique

BSP149L6327HTSA1 Fiche technique

paquet TO-261-4, TO-261AA
ECAD
En stock 2 640 piece(s)
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Spécifications BSP149L6327HTSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SériesSIPMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C660mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 400µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FETDepletion Mode
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-SOT223-4
Paquet / casTO-261-4, TO-261AA

BSP149L6327HTSA1 fiche technique

BSP149L6327HTSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BSP149L6327HTSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSP149L6327HTSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSP149L6327HTSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSP149L6327HTSA1?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Référence Fabricant Description Stock

BSP149L6327HTSA1

D# BSP149L6327HTSA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

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