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| Référence | BSP135L6327HTSA1 |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Description | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| En stock | 7 328 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | déc. 28 - janv. 2 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| Séries | SIPMOS? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120mA (Ta) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 94µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 146pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | Depletion Mode |
| Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-SOT223-4 |
| Paquet / cas | TO-261-4, TO-261AA |
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SIT1602BI-21-33S-24.000000G | SiTime, -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 2, -, SIPMOS? | Vue |
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SIT1602BC-12-33N-65.000000D | SiTime, -20 TO 70C, 2520, 25PPM, 3.3V, 6, -, SIPMOS? | Vue |
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VJ2220Y124JBPAT4X | Vishay Vitramon, CAP CER 0.12UF 250V X7R 2220, 2220 (5750 Metric), SIPMOS? | Vue |
 
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LT1303CS8#TRPBF | Linear Technology, IC REG BOOST ADJ 0.75A 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), SIPMOS? | Vue |
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8N4QV01KG-0169CDI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC OSC VCXO QD FREQ 10CLCC, 10-CLCC, SIPMOS? | Vue |
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SMBJ58HE3/5B | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 58VWM 103VC SMB, DO-214AA, SMB, SIPMOS? | Vue |
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RWR81S2740FRS70 | Vishay Dale, RES 274 OHM 1W 1% WW AXIAL, Axial, SIPMOS? | Vue |
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813-S1-012-30-017191 | Preci-Dip, CONN SPRING LOAD 12POS DUAL SMD, -, SIPMOS? | Vue |
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FLE-147-01-G-DV-A-K | Samtec Inc., .050 MICRO STRIPS, -, SIPMOS? | Vue |
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ECA.1B.307.CYM | LEMO, RCPT PNL MNT 7SKT CRIMP, -, SIPMOS? | Vue |
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MS27467T15B35JA-LC | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN PLUG HSG FMALE 37POS INLINE, -, SIPMOS? | Vue |
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62525-101 | Amphenol FCI, CONN CONTACT MINI COAX SCKT R/A, -, SIPMOS? | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSP135L6327HTSA1 D# BSP135L6327HTSA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 - Bulk (Alt: BSP135L6327HTSA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSP135L6327HTSA1 D# 2156-BSP135L6327HTSA1-ITTR-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 |
763462 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSP135L6327HTSA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
959634 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSP135L6327HTSA1 |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A, 600V, 45ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
|
763462 |
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86-755-83210559-843
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