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BSP129E6327

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BSP129E6327

Pour Référence Seulement

Référence BSP129E6327
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Fiche technique

BSP129E6327 Fiche technique
paquet TO-261-4, TO-261AA
ECAD
En stock 3 792 piece(s)
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Spécifications BSP129E6327

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SériesSIPMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)240V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C350mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 108µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs5.7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds108pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FETDepletion Mode
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs6 Ohm @ 350mA, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-SOT223-4
Paquet / casTO-261-4, TO-261AA

BSP129E6327 fiche technique

BSP129E6327 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSP129E6327 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSP129E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSP129E6327. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSP129E6327 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSP129E6327 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSP129E6327 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of BSP129E6327 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of BSP129E6327?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSP129E6327 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSP129E6327 only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSP129E6327.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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D# BSP129INTR-ND

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MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

 0

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 0
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.2A I(D), 240V, 20OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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