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BSM75GB120DN2HOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM75GB120DN2HOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 105A 625W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM75GB120DN2HOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationHalf Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)105 A
Puissance - Max625 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)1.5 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce5.5 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

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Sealing
Packing
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BSM75GB120DN2HOSA1 FAQ

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