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BSM450D12P4G102

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Pour Référence Seulement

Référence BSM450D12P4G102
Fabricant Rohm Semiconductor
Description SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 12 piece(s)
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Spécifications BSM450D12P4G102

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C447A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4.8V @ 218.4mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds44000pF @ 10V
Puissance - Max1.45kW (Tc)
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM450D12P4G102 Packaging

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Sealing
Packing
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BSM450D12P4G102 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSM450D12P4G102 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSM450D12P4G102. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSM450D12P4G102 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSM450D12P4G102 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSM450D12P4G102 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSM450D12P4G102?
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