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BSM35GD120DN2E3224BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM35GD120DN2E3224BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 50A 280W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM35GD120DN2E3224BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)50 A
Puissance - Max280 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 35A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce2 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BSM35GD120DN2E3224BOSA1 FAQ

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