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BSM30GP60B2BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM30GP60B2BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE 600V 50A 180W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM30GP60B2BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationFull Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)600 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)50 A
Puissance - Max180 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)500 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce1.6 nF @ 25 V
ContributionThree Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

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Packing
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BSM30GP60B2BOSA1 FAQ

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  • 3. Are the BSM30GP60B2BOSA1 price and inventory displayed accurate?
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