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BSM25GP120B2BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM25GP120B2BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE 1200V
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM25GP120B2BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationFull Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)45 A
Puissance - Max230 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)500 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce1.5 nF @ 25 V
ContributionThree Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM25GP120B2BOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSM25GP120B2BOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSM25GP120B2BOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of BSM25GP120B2BOSA1?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSM25GP120B2BOSA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSM25GP120B2BOSA1 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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