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BSM25GD120DN2E3224BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 35A 200W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM25GD120DN2E3224BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)35 A
Puissance - Max200 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)800 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce1.65 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSM25GD120DN2E3224BOSA1 FAQ

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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSM25GD120DN2E3224BOSA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as BSM25GD120DN2E3224BOSA1 pin diagram, BSM25GD120DN2E3224BOSA1 datasheet?
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