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BSM25GB120DN2

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Pour Référence Seulement

Référence BSM25GB120DN2
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM25GB120DN2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationHalf Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)38 A
Puissance - Max200 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)800 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce1.65 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM25GB120DN2 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSM25GB120DN2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSM25GB120DN2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSM25GB120DN2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSM25GB120DN2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSM25GB120DN2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSM25GB120DN2 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSM25GB120DN2?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSM25GB120DN2.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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