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BSM25GB120DN2

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Pour Référence Seulement

Référence BSM25GB120DN2
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM25GB120DN2

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationHalf Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)38 A
Puissance - Max200 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)800 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce1.65 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

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Sealing
Packing
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BSM25GB120DN2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSM25GB120DN2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSM25GB120DN2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSM25GB120DN2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSM25GB120DN2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSM25GB120DN2 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSM25GB120DN2?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSM25GB120DN2.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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