Name: BSM180C12P3C202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180C12P3C202
Availability: InStock
Rating: 5 (117 reviews)

BSM180C12P3C202

Pour Référence Seulement

Référence	BSM180C12P3C202
Fabricant	Rohm Semiconductor
Description	SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	30 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 8 - juil. 13 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications BSM180C12P3C202

Fabricant	Rohm Semiconductor
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5.6V @ 50mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9000 pF @ 10 V
Vgs (Max)	+22V, -4V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	880W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	Module
Paquet / cas	Module

BSM180C12P3C202 Packaging

BSM180C12P3C202 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSM180C12P3C202.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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