Name: BSM180C12P2E202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180C12P2E202
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

BSM180C12P2E202

Pour Référence Seulement

Référence	BSM180C12P2E202
Fabricant	Rohm Semiconductor
Description	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	12 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 2 - déc. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications BSM180C12P2E202

Fabricant	Rohm Semiconductor
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	204A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20000 pF @ 10 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1360W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	-
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	Module
Paquet / cas	Module

BSM180C12P2E202 Packaging

BSM180C12P2E202 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSM180C12P2E202 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSM180C12P2E202 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSM180C12P2E202.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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