Name: BSM150GB170DN2E3256HDLA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSM150GB170DN2E3256HDLA1
Availability: InStock
Rating: 5 (127 reviews)

BSM150GB170DN2E3256HDLA1

Pour Référence Seulement

Référence	BSM150GB170DN2E3256HDLA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	BSM150GB170DN2 - INSULATED GATE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 5 - juil. 10 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications BSM150GB170DN2E3256HDLA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type IGBT	-
Configuration	2 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	1700 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	300 A
Puissance - Max	1250 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)	300 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	10 nF @ 25 V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module

BSM150GB170DN2E3256HDLA1 Packaging

BSM150GB170DN2E3256HDLA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSM150GB170DN2E3256HDLA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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