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BSM150GB120DN2HOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM150GB120DN2HOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MOD 1200V 210A 1250W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM150GB120DN2HOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationHalf Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)210 A
Puissance - Max1250 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)2.8 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce11 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM150GB120DN2HOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSM150GB120DN2HOSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSM150GB120DN2HOSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSM150GB120DN2HOSA1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSM150GB120DN2HOSA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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