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BSM10GP120B9BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM10GP120B9BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE 1200V
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM10GP120B9BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)20 A
Puissance - Max100 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.85V @ 15V, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)500 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce600 pF @ 25 V
ContributionThree Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM10GP120B9BOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BSM10GP120B9BOSA1 FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSM10GP120B9BOSA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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