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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE 1200V 15A 80W
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM10GD120DN2E3224BOSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationFull Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)15 A
Puissance - Max80 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)400 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce530 pF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 FAQ

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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSM10GD120DN2E3224BOSA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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  • 7.How to contact us to get technical supports, such as BSM10GD120DN2E3224BOSA1 pin diagram, BSM10GD120DN2E3224BOSA1 datasheet?
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