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BSM100GD120DN2BDLA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSM100GD120DN2BDLA1
Fabricant Infineon Technologies
Description IGBT MODULE 1200V
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSM100GD120DN2BDLA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationFull Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)150 A
Puissance - Max680 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)2 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce6.5 nF @ 25 V
ContributionStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

BSM100GD120DN2BDLA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSM100GD120DN2BDLA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSM100GD120DN2BDLA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSM100GD120DN2BDLA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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