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BSF110N06NT3GXUMA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSF110N06NT3GXUMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description N-CHANNEL POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSF110N06NT3GXUMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™ 3
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C47A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 33µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 30 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)38W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs11mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurMG-WDSON-2
Paquet / casDirectFET™ Isometric ST

BSF110N06NT3GXUMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSF110N06NT3GXUMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSF110N06NT3GXUMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSF110N06NT3GXUMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
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