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BSC112N06LDATMA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSC112N06LDATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 36 963 piece(s)
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Spécifications BSC112N06LDATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™-T2
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 28µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4020pF @ 30V
Puissance - Max65W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseurPG-TDSON-8-4

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Sealing
Packing
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BSC112N06LDATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC112N06LDATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC112N06LDATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC112N06LDATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC112N06LDATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC112N06LDATMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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