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BSC072N03LDGATMA1

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Pour Référence Seulement

Référence BSC072N03LDGATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BSC072N03LDGATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FETLogic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C11.5A
Rds sur (max) @ id, vgs7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 15V
Puissance - Max57W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseurPG-TDSON-8-4

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Sealing
Packing
Insepction

BSC072N03LDGATMA1 FAQ

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TAJA226K010RNJ

CAP TANT 22UF 10V 10% 1206

B5B-PH-K-S(LF)(SN)

CONN HEADER PH TOP 5POS 2MM

HCS3920FTL500

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LT1763CS8-3.3#PBF

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