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BSC050N03LSGATMA1

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BSC050N03LSGATMA1

Pour Référence Seulement

Référence BSC050N03LSGATMA1
Fabricant Infineon Technologies
Description MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 37 764 piece(s)
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Spécifications BSC050N03LSGATMA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesOptiMOS™
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C18A (Ta), 80A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs5mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurPG-TDSON-8-5
Paquet / cas8-PowerTDFN

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Sealing
Packing
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BSC050N03LSGATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC050N03LSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSC050N03LSGATMA1 price and inventory displayed accurate?
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