Name: BSB104N08NP3GXUMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB104N08NP3GXUMA3
Availability: InStock
Rating: 5 (148 reviews)

BSB104N08NP3GXUMA3

Pour Référence Seulement

Référence	BSB104N08NP3GXUMA3
Fabricant	Infineon Technologies
Description	TRENCH 40<-<100V
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 1 - juil. 6 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications BSB104N08NP3GXUMA3

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta), 50A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 40 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 42W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	10.4mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	MG-WDSON-2-6
Paquet / cas	DirectFET™ Isometric MP

BSB104N08NP3GXUMA3 Packaging

BSB104N08NP3GXUMA3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSB104N08NP3GXUMA3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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