Name: BLF8G10LS-160V-112
Brand: NXP
SKU: BLF8G10LS-160V,112
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

BLF8G10LS-160V-112

Pour Référence Seulement

Référence	BLF8G10LS-160V-112
Fabricant	NXP
Description	RF MOSFET LDMOS 30V SOT502B
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 31 - janv. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications BLF8G10LS-160V-112

Fabricant	NXP
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - RF
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	920MHz ~ 960MHz
Gain	19.7dB
Tension - Test	30 V
Note actuelle	-
Chiffre de bruit	-
Current - Test	1.1 A
Puissance - Sortie	35W
Tension - Classé	65 V
Paquet / cas	SOT-502B
Package de périphérique fournisseur	SOT502B

BLF8G10LS-160V-112 Packaging

BLF8G10LS-160V-112 FAQ

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Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BLF8G10LS-160V-112 we delivered, we will accept the replacement or return of the BLF8G10LS-160V-112 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BLF8G10LS-160V-112.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as BLF8G10LS-160V-112 pin diagram, BLF8G10LS-160V-112 datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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