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BC857BWE6327

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Pour Référence Seulement

Référence BC857BWE6327
Fabricant Infineon Technologies
Description BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BC857BWE6327

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorPNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)45 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Puissance - Max250 mW
Fréquence - Transition250MHz
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseurPG-SOT323

BC857BWE6327 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BC857BWE6327 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BC857BWE6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BC857BWE6327. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BC857BWE6327 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BC857BWE6327 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BC857BWE6327 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BC857BWE6327?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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