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BAS16HYFHT116

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Référence BAS16HYFHT116
Fabricant Rohm Semiconductor
Description DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications BAS16HYFHT116

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Courant - Rectifié moyen (Io)215mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.25 V @ 150 mA
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 80 V
Capacité @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseurSOT-23
Température de fonctionnement - Jonction150°C

BAS16HYFHT116 Packaging

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Sealing
Packing
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BAS16HYFHT116 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BAS16HYFHT116 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BAS16HYFHT116. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BAS16HYFHT116 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BAS16HYFHT116 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BAS16HYFHT116 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BAS16HYFHT116?
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