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BAS116HYT116

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Référence BAS116HYT116
Fabricant Rohm Semiconductor
Description DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 17 706 piece(s)
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Spécifications BAS116HYT116

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Courant - Rectifié moyen (Io)215mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.25 V @ 150 mA
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)3 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr5 nA @ 75 V
Capacité @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseurSOT-23
Température de fonctionnement - Jonction150°C

BAS116HYT116 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BAS116HYT116 FAQ

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