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B11G2327N70DYZ

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B11G2327N70DYZ

Pour Référence Seulement

Référence B11G2327N70DYZ
Fabricant Ampleon USA Inc.
Description RF MOSFET LDMOS 36QFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications B11G2327N70DYZ

FabricantAmpleon USA Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorLDMOS
La fréquence2.3GHz ~ 2.7GHz
Gain30.3dB
Tension - Test-
Note actuelle1.4µA
Chiffre de bruit-
Current - Test-
Puissance - Sortie-
Tension - Classé65 V
Paquet / cas36-QFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur36-PQFN (12x7)

B11G2327N70DYZ Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

B11G2327N70DYZ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that B11G2327N70DYZ is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the B11G2327N70DYZ price and inventory displayed accurate?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of B11G2327N70DYZ.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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