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APTSM120AM09CD3AG

APTSM120AM09CD3AG

APTSM120AM09CD3AG

Pour Référence Seulement

Référence APTSM120AM09CD3AG
Fabricant Microsemi Corporation
Description POWER MODULE - SIC
Fiche technique
paquet Module
ECAD
En stock 5 776 piece(s)
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Spécifications APTSM120AM09CD3AG

FabricantMicrosemi Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquetModule
ECAD
Séries-
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETSilicon Carbide (SiC)
Tension de drain à la source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C337A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 9mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs1224nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds23000pF @ 1000V
Puissance - Max-
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurModule

APTSM120AM09CD3AG Packaging

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Sealing
Packing
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APTSM120AM09CD3AG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that APTSM120AM09CD3AG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the APTSM120AM09CD3AG price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of APTSM120AM09CD3AG?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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APTSM120AM09CD3AG Produits Connexes

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HM17-895331LF HM17-895331LF TT Electronics/BI Magnetics, FIXED IND 330UH 510MA 610 MOHM, Radial, - Vue
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Référence Fabricant Description Stock

APTSM120AM09CD3AG

D# APTSM120AM09CD3AG-ND

Microsemi Corporation

MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE

0

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