Name: AIMZHN120R160M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: AIMZHN120R160M1TXKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (118 reviews)

AIMZHN120R160M1TXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence	AIMZHN120R160M1TXKSA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	SIC_DISCRETE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 2 - déc. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications AIMZHN120R160M1TXKSA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.1V @ 1.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+23V, -5V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	109W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	200mOhm @ 5A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO247-4-14
Paquet / cas	TO-247-4

AIMZHN120R160M1TXKSA1 Packaging

AIMZHN120R160M1TXKSA1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of AIMZHN120R160M1TXKSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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