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AIMZHN120R030M1TXKSA1

AIMZHN120R030M1TXKSA1

AIMZHN120R030M1TXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence AIMZHN120R030M1TXKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SIC_DISCRETE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications AIMZHN120R030M1TXKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C69A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id5.1V @ 8.6mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1738 pF @ 800 V
Vgs (Max)+23V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)326W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs38mOhm @ 27A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-4-14
Paquet / casTO-247-4

AIMZHN120R030M1TXKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

AIMZHN120R030M1TXKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that AIMZHN120R030M1TXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the AIMZHN120R030M1TXKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of AIMZHN120R030M1TXKSA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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