Name: AIMZHN120R020M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: AIMZHN120R020M1TXKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (114 reviews)

AIMZHN120R020M1TXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence	AIMZHN120R020M1TXKSA1
Fabricant	Infineon Technologies
Description	SIC_DISCRETE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 18 - nov. 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications AIMZHN120R020M1TXKSA1

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.1V @ 13.7mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	82 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2667 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+23V, -5V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	429W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	25mOhm @ 43A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO247-4-14
Paquet / cas	TO-247-4

AIMZHN120R020M1TXKSA1 Packaging

AIMZHN120R020M1TXKSA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of AIMZHN120R020M1TXKSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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