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AIMZH120R020M1TXKSA1

AIMZH120R020M1TXKSA1

AIMZH120R020M1TXKSA1

Pour Référence Seulement

Référence AIMZH120R020M1TXKSA1
Fabricant Infineon Technologies
Description SIC_DISCRETE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications AIMZH120R020M1TXKSA1

FabricantInfineon Technologies
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C100A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id5.1V @ 13.7mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2667 pF @ 800 V
Vgs (Max)+23V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)429W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs25mOhm @ 43A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurPG-TO247-4-11
Paquet / casTO-247-4

AIMZH120R020M1TXKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

AIMZH120R020M1TXKSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that AIMZH120R020M1TXKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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