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A2T18S262W12NR3

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Pour Référence Seulement

Référence A2T18S262W12NR3
Fabricant NXP
Description RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications A2T18S262W12NR3

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorLDMOS
La fréquence1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain19.3dB
Tension - Test28 V
Note actuelle10µA
Chiffre de bruit-
Current - Test1.6 A
Puissance - Sortie231W
Tension - Classé65 V
Paquet / casOM-880X-2L2L
Package de périphérique fournisseurOM-880X-2L2L

A2T18S262W12NR3 Packaging

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Sealing
Packing
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A2T18S262W12NR3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that A2T18S262W12NR3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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