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A2T18S162W31SR3

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A2T18S162W31SR3

Pour Référence Seulement

Référence A2T18S162W31SR3
Fabricant NXP
Description IC TRANS RF LDMOS
Fiche technique

A2T18S162W31SR3 Fiche technique

paquet NI-780S-2L2LA
ECAD
En stock 6 128 piece(s)
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Spécifications A2T18S162W31SR3

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - RF
paquetNI-780S-2L2LA
ECAD
Séries-
Type de transistorLDMOS
La fréquence1.84GHz
Gain20.1dB
Tension - Test28V
Note actuelle-
Chiffre de bruit-
Current - Test1A
Puissance - Sortie32W
Tension - Classé65V
Paquet / casNI-780S-2L2LA
Package de périphérique fournisseurNI-780S-2L2LA

A2T18S162W31SR3 fiche technique

A2T18S162W31SR3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

A2T18S162W31SR3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that A2T18S162W31SR3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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A2T18S162W31SR3 Produits Connexes

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VG95234N1-20-2SN VG95234N1-20-2SN ITT Cannon, LLC, CONN RCPT 1POS WALL MNT W/SKT, -, - Vue

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NXP Semiconductors

IC TRANS RF LDMOS

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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