| Référence | 2SJ356-T1-AZ |
|---|---|
| Fabricant | Renesas Electronics Corporation |
| Description | P-CHANNEL POWER MOSFET |
| Fiche technique | |
| paquet | - |
| ECAD |
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| En stock | 0 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | déc. 29 - janv. 3 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Méthodes de paiement | |
| Services de livraison |
| Fabricant | Renesas Electronics Corporation |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | - |
| ECAD |
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| Séries | - |
| Type de FET | - |
| La technologie | - |
| Tension de drain à la source (Vdss) | - |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Rds sur (max) @ id, vgs | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Paquet / cas | - |
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