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2SD1145G-AE

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Pour Référence Seulement

Référence 2SD1145G-AE
Fabricant onsemi
Description BIP NPN 5A 20V
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications 2SD1145G-AE

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)5 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)20 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)1µA (ICBO)
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce280 @ 500mA, 2V
Puissance - Max900 mW
Fréquence - Transition120MHz
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package de périphérique fournisseur3-MP

2SD1145G-AE Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

2SD1145G-AE FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SD1145G-AE is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SD1145G-AE. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SD1145G-AE on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SD1145G-AE products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2SD1145G-AE price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2SD1145G-AE?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of 2SD1145G-AE.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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