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2SC5773JR-TL-E

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2SC5773JR-TL-E

Pour Référence Seulement

Référence 2SC5773JR-TL-E
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications 2SC5773JR-TL-E

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)6V
Fréquence - Transition10.8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)1.1dB @ 900MHz
Gain11.9dB
Puissance - Max700mW
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)80mA
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur3-MPAK

2SC5773JR-TL-E Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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