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2SB861C

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Pour Référence Seulement

Référence 2SB861C
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications 2SB861C

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorPNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)2 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)150 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)1µA (ICBO)
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 10V
Puissance - Max1.8 W
Fréquence - Transition-
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-220-3
Package de périphérique fournisseurTO-220AB

2SB861C Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

2SB861C FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SB861C is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2SB861C. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2SB861C on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2SB861C products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2SB861C price and inventory displayed accurate?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of 2SB861C.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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