Référence | 1N6482HE3/97 |
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Fabricant | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Description | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB |
Fiche technique | |
paquet | DO-213AB, MELF (Glass) |
ECAD | |
En stock | 4 192 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
Temps de livraison estimé | janv. 24 - janv. 29 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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Référence | Fabricant | Description | Stock |
1N6482HE3/97 D# 1N6482HE3/97 |
Vishay Intertechnologies |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R - Tape and Reel (Alt: 1N6482HE3/97) RoHS: Compliant
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0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
1N6482HE3/97 |
Vishay Semiconductors |
STD RECOVERY RECTFR 600V 1A 2PIN DO-213AB - Tape and Reel |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
1N6482HE3/97 D# 1N6482HE3/97-ND |
Vishay Semiconductors |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
1N6482HE3/97 D# 10N0132 |
Vishay Intertechnologies |
DIODE, Diode Type:Standard Recovery, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V, Forward Current If(AV):1A, Forward Voltage VF Max:1.1V, Forward Surge Current Ifsm Max:30A RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 10000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
1N6482HE3/97 D# NS-1N6482HE3/97 |
Vishay Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
8497 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
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86-755-83210559-827
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IC GAIN BLOCK 40DBM LN SOT-89
IC REG MULT CONFIG INV ADJ D2PAK
SENSOR TEMPERATURE SMBUS 16QSOP
FUSE BOARD MOUNT 4A 24VDC 1206
IC EEPROM 256KBIT 400KHZ 8SOIC
CONN FFC TOP 50POS 0.50MM R/A
IC MCU 8BIT 8KB FLASH 18DIP
TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMB
IC FLASH 4MBIT 20MHZ 8SOIC
IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32LQFP